L'Institut de nanotechnologie de l'Université Technique de Twente a réussi à combiner les transistors au silicium avec des mémoires magnétiques.

Jusqu'à présent, l'assemblage du silicium avec un matériau magnétique ne donnait pas le résultat attendu. En effet, le contact direct entre ces deux matériaux provoque la formation d'une bande de résistance électrique très importante. En conséquence, l'échange d'information entre les transistors et la mémoire devenait impossible. En appliquant une couche fine de gadolinium, un matériau rare, entre le silicium et le matériau magnétique, la résistance est diminuée d'un facteur de cent millions environ. Cela permet l'échange d'électrons. Cette couche de gadolinium, d'une épaisseur d'un nanomètre seulement, est appliquée par un procédé d'évaporation. Avec ce procédé, l'épaisseur et la résistance peuvent être réglées précisément.

La puce combinée obtenue permet principalement une économie d'énergie et la diminution considérable des échauffements thermiques. Ces deux aspects sont intéressants notamment pour les applications mobiles.

Cette information est un extrait du BE Pays-Bas numéro 24 du 18/01/2007 rédigé par l'Ambassade de France aux Pays-Bas. Les Bulletins Electroniques (BE) sont un service ADIT et sont accessibles gratuitement sur www.bulletins-electroniques.com[/size]