L'Institut de nanotechnologie de l'Université Technique de Twente a réussi à combiner les transistors au silicium avec des mémoires magnétiques.

Jusqu'à présent, l'assemblage du silicium avec un matériau magnétique ne donnait pas le résultat attendu. En effet, le contact direct entre ces deux matériaux provoque la formation d'une bande de résistance électrique très importante. En conséquence, l'échange d'information entre les transistors et la mémoire devenait impossible. En appliquant une couche fine de gadolinium, un matériau rare, entre le silicium et le matériau magnétique, la résistance est diminuée d'un facteur de cent millions environ. Cela permet l'échange d'électrons. Cette couche de gadolinium, d'une épaisseur d'un nanomètre seulement, est appliquée par un procédé d'évaporation. Avec ce procédé, l'épaisseur et la résistance peuvent être réglées précisément.

Hewlett-Packard a mandaté deux chercheurs afin de présenter un nouveau design des composants des microprocesseurs.

Deux chercheurs de Hewlett-Packard, Greg Snider et Stan Williams, vont gérer le projet expérimental FPNI (Field Programmable Nanowire Interconnect) qui a pour objectif d'accélérer la vitesse des composants des microprocesseurs en utilisant la nanotechnologie.

Face aux besoins exponentiels de stockage de l'information, et face a la limite des types de stockages actuels, le CNRS et l"école polytechnique fédérale de Lausanne ont réalisés le premier disque dur nanotechnologique.

Des atomes de cobalt sont déposés sur une surface en or et se rangent en un framework régulier. Les atomes de cobalt étant magnétiques, des réseaux de cobalt pourraient devenir unités de stockage de par leurs propriétés électromagnétiques. On obtiendrait alors une densité de stockage de 4 000 milliards de bits par centimètre carré, soit une capacité de stockage de 500 Go par centimètres carrés.